镀膜工艺简介 AF、AG、AR工艺介绍

1.PVD的定义：

物理气相沉积是一种物理气相反应生长法。沉积过程是在真空或低气压气体放电条件下，即在低温等离子体中进行的。涂层的物质源是固态物质，经过“蒸发或溅射”后，在零件表面生成与基材性能完全不同的新的固体物质涂层。

2.PVD的基本过程：

1.从原料中发射粒子（经过蒸发、升华、溅射和分解等过程）；
2.粒子输运到基片（粒子之间发生碰撞，产生离化、复合、反应，能量的交换和运动方向的变化）；
3.粒子在基片上凝结、成核、长大和成膜。

3.PVD的分类：

a.真空蒸发镀膜
b.真空溅射镀膜
c.真空离子镀膜

1.真空的定义：
泛指低于一个大气压的气体状态。与普通大气压状态相比，分子密度较为稀薄，从而气体分子和气体分子、气体分子和器壁之间的碰撞几率要低一些。

2.真空蒸发镀膜的定义：
真空蒸发镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质使之汽化，蒸发粒子流直接射向基片并在基片上沉积形成固态薄膜的技术。包括热蒸发和EB蒸发（电子束蒸发）

3.热蒸发原理及特点：

热蒸发是在真空状况下，将所要蒸镀的材料利用电阻加热达到熔化温度，使原子蒸发，到达并附着在基板表面上的一种镀膜技术。
特点：装置便宜、操作简单广泛用于Au、Ag、Cu、Ni、In、Cr等导体材料。

4.E-Beam蒸发原理：

热电子由灯丝发射后，被加速阳极加速，获得动能轰击到处于阳极的蒸发材料上，使蒸发材料加热气化，而实现蒸发镀膜。
特点：多用于要求纯度极高的膜、绝缘物的蒸镀和高熔点物质的蒸镀

1.真空溅射镀膜的定义：
给靶材施加高电压（形成等离子状态），使正荷电气体离子撞击靶材、金属原子飞弹，而在样品表面形成金属皮膜的方法。